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石英可編程晶振相比MEMS晶振具有更好的溫度穩(wěn)定性

，相位噪聲，起振時間快
，在線Q值高
，短期長期穩(wěn)定性好。MEMS振蕩器更適合高振動環(huán)境
，非關(guān)鍵定時應(yīng)用以及信號噪聲比不重要的應(yīng)用
。像高速通信
，復(fù)雜調(diào)制方案
，出色的信噪比之類的應(yīng)用，晶體振蕩器將優(yōu)于MEMS振蕩器
。石英材質(zhì)擁有低抖動
，極高的Q值，以及出色的時間和溫度穩(wěn)定性
。石英可編程和MEMS晶振對比的相關(guān)聯(lián)的知識
，見晶振百科

產(chǎn)品圖片

尺寸

型號

輸出波形

工作電壓

頻率范圍Hz

特種代碼

參數(shù)選擇

規(guī)格書

    2. 3.2x2.5
    3. KJ328D
    4. LVDS
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~2.1G
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 5.0x3.2
    3. KS508T
    4. CMOS
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~250.0M
    7. J Q S H

      相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 5.0x3.2
    3. KD508C
    4. HCSL
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~700.0M
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 5.0x3.2
    3. KJ508D
    4. LVDS
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~2.1G
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 7.0x5.0
    3. KS708T
    4. CMOS
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~250.0M
    7. J Q S H

      相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 7.0x5.0
    3. KD708C
    4. HCSL
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~700.0M
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 7.0x5.0
    3. KJ708D
    4. LVDS
    5. 1.8V~3.3V
    6. 150.0M~2.1G
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 3.2x2.5
    3. KJ326D
    4. LVDS
    5. 2.5V~3.3V
    6. 100.0M~1.5G
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 5.0x3.2
    3. KJ506D
    4. LVDS
    5. 2.5V~3.3V
    6. 100.0M~1.5G
    7. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
    2. 5.0x3.2
    3. KD506D
    4. LVDS
    5. 1.8V~3.3V
    6. 10.0M~1.5G
    7. D Q S H

      差分輸出 編程晶振 切換頻率 超高頻

    8. 立即選擇
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