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石英可編程晶振相比MEMS晶振具有更好的溫度穩(wěn)定性，相位噪聲，起振時間快，在線Q值高，短期長期穩(wěn)定性好。MEMS振蕩器更適合高振動環(huán)境，非關(guān)鍵定時應(yīng)用以及信號噪聲比不重要的應(yīng)用。像高速通信，復(fù)雜調(diào)制方案，出色的信噪比之類的應(yīng)用，晶體振蕩器將優(yōu)于MEMS振蕩器。石英材質(zhì)擁有低抖動，極高的Q值，以及出色的時間和溫度穩(wěn)定性。石英可編程和MEMS晶振對比的相關(guān)聯(lián)的知識，見晶振百科

產(chǎn)品圖片

尺寸

型號

輸出波形

工作電壓

頻率范圍Hz

特種代碼

參數(shù)選擇

規(guī)格書

2. 5.0x3.2
3. KS506T
4. CMOS
5. 2.5V~3.3V
6. 10.0M~245.0M
7. Q S H
  編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 7.0x5.0
3. KJ706D
4. LVDS
5. 2.5V~3.3V
6. 100.0M~1.5G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KV508T
4. CMOS
5. 1.8V~3.3V
6. 10.0M~245.0M
7. J Q S H
  相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KV508D
4. LVDS
5. 2.5V~3.3V
6. 15.0M~2.1G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KV508C
4. HCSL
5. 1.8V~3.3V
6. 15.0M~700.0M
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 7.0x5.0
3. KV708T
4. CMOS
5. 1.8V~3.3V
6. 10.0M~245.0M
7. J Q S H
  相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 7.0x5.0
3. KV708D
4. LVDS
5. 2.5V~3.3V
6. 15.0M~2.1G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 7.0x5.0
3. KV708C
4. HCSL
5. 1.8V~3.3V
6. 15.0M~700.0M
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 7.0x5.0
3. KV70D
4. LVDS
5. 2.5V~3.3V
6. 15.0M~2.1G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇
2. 5.0x3.2
3. KV50D
4. LVDS
5. 2.5V~3.3V
6. 15.0M~2.1G
7. D J Q S H
  差分輸出相噪抖動編程晶振切換頻率超高頻
8. 立即選擇

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