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晶振DLD2值過大
,會怎么樣

發(fā)布時間:2023-06-25 閱讀次數(shù):833

激勵功率的變化會引起晶體頻率和諧振阻抗的變化

,S&A250B測試數(shù)據(jù)中的DLD2指的是:不同激勵電平下的負(fù)載諧振電阻的最大值與最小值的差值,值越小越好


如果激勵功率過大可能破壞晶體的內(nèi)部機(jī)理,引起振蕩頻率異常

、穩(wěn)定度下降
、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象
,更為嚴(yán)重的導(dǎo)致電極受損
。在電路設(shè)計時,KOAN小妹建議您確認(rèn)所使用的激勵等級絕對不超過最大激勵等級
。如果激勵功率過低
,也會帶來DLD問題或者不起振。


除電路設(shè)計的因素

,晶振制作過程中殘留應(yīng)力和制造污染也會造成DLD2值高
《晶振的制作過程》中,第七步“晶振焊封”中:無源諧振器真空密封/充氮氣
;有源晶振還需要加入芯片
,用金線與底座各引腳連接,最后用真空密封/充氮氣
。更多內(nèi)容:《
無源和有源晶振的區(qū)別和辨別方法


在沒有真空的情況下

,晶振內(nèi)部存有少量水蒸氣,在低溫環(huán)境下會凝結(jié)成水滴附著于晶片表面
。晶振內(nèi)部充氮氣優(yōu)于僅抽真空
。氮氣是防止內(nèi)部金屬氧化,例如電極等
,以進(jìn)一步提升晶振的穩(wěn)定性


晶振頻率穩(wěn)定是振蕩電路設(shè)計的關(guān)鍵點。振蕩電路設(shè)計中需要考慮的6大因素:

01 選用公差和諧振阻抗較小的晶體
02 選擇合適的激勵功率
03 合適的匹配電容(滿足相位條件)
04 振蕩寬限(滿足振幅條件)
05 選用合適的振蕩IC
06 其它因素:電路
,環(huán)境……


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