激勵功率的變化會引起晶體頻率和諧振阻抗的變化，S&A250B測試數(shù)據(jù)中的DLD2指的是：不同激勵電平下的負載諧振電阻的最大值與最小值的差值，值越小越好。

如果激勵功率過大可能破壞晶體的內(nèi)部機理，引起振蕩頻率異常、穩(wěn)定度下降、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象，更為嚴重的導致電極受損。在電路設計時，KOAN小妹建議您確認所使用的激勵等級絕對不超過最大激勵等級。如果激勵功率過低，也會帶來DLD問題或者不起振。

除電路設計的因素，晶振制作過程中殘留應力和制造污染也會造成DLD2值高。《晶振的制作過程》中，第七步“晶振焊封”中：無源諧振器真空密封/充氮氣；有源晶振還需要加入芯片，用金線與底座各引腳連接，最后用真空密封/充氮氣。更多內(nèi)容：《無源和有源晶振的區(qū)別和辨別方法》

在沒有真空的情況下，晶振內(nèi)部存有少量水蒸氣，在低溫環(huán)境下會凝結成水滴附著于晶片表面。晶振內(nèi)部充氮氣優(yōu)于僅抽真空。氮氣是防止內(nèi)部金屬氧化，例如電極等，以進一步提升晶振的穩(wěn)定性。

晶振頻率穩(wěn)定是振蕩電路設計的關鍵點。振蕩電路設計中需要考慮的6大因素：