電阻(簡稱R)在電路中限制所在支路的電流大小的元件。晶振的電阻越小越好，如果過大，容易不起振，增加能耗。對晶振來講，頻率越高，晶片越薄，電阻就小。相反，頻率低，晶片厚，電阻大。

阻抗(簡稱Z)對電路中電流其阻礙作用。實(shí)數(shù)部分為電阻R，虛數(shù)j部分為電抗。電容在電路中對交流電起阻礙作用叫做容抗1/wC；電感起阻礙作用叫做感抗wL。電容和電感總稱為電抗。

晶體阻抗的斜率表示隨著頻率的增加，在特定的頻率下，串聯(lián)電容C和電感L之間的作用產(chǎn)生串聯(lián)諧振電路，將晶體的阻抗降低到最小并等于R并得到串聯(lián)諧振頻率fs。當(dāng)頻率增加到串聯(lián)諧振點(diǎn)上時(shí)，晶體相當(dāng)于電感，直到頻率達(dá)到并聯(lián)諧振頻率fp時(shí)，晶體兩端的阻抗達(dá)到最大值。在fs和fp之間，當(dāng)兩個(gè)并聯(lián)電容抵消時(shí)，晶體呈現(xiàn)電感性。小于fs或者大于fp時(shí)，晶體呈現(xiàn)電容性。

假設(shè)Rs = 6.4Ω, Cs = 0.09972pF, Ls = 2.546mH,Cp = 28.68pF, 計(jì)算晶體fs和fp：

可見fs和fp很相近，差值約為18khz。在這個(gè)狹小的頻率范圍內(nèi)，晶體為感性，需要在KOAN晶振外部并聯(lián)合適的電容，就可以組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)合適的電容就是負(fù)載電容。