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，其中“激勵(lì)功率”是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。更多?nèi)容《小型化晶振對(duì)起振時(shí)間、相位噪聲與抖動(dòng)的影響》

激勵(lì)功率過(guò)高

1. 頻率變化: 激勵(lì)功率過(guò)高會(huì)導(dǎo)致振幅增大

，從而引發(fā)幅頻效應(yīng)。這種效應(yīng)會(huì)改變晶振的機(jī)械應(yīng)力與彈性常數(shù)，從而導(dǎo)致振蕩頻率有明顯變化，影響設(shè)備的正常工作。

2. 熱應(yīng)力增加: 過(guò)高的功率會(huì)在晶片兩電極之間形成不均勻的溫度場(chǎng)，導(dǎo)致熱應(yīng)力增大，進(jìn)而影響頻率穩(wěn)定性

，嚴(yán)重時(shí)可能導(dǎo)致晶片損壞。

3. 晶振老化: 長(zhǎng)期在高激勵(lì)功率下運(yùn)行會(huì)加速晶振老化，縮短使用壽命

，增加維修或更換的成本。更多內(nèi)容：《晶振的老化率》

激勵(lì)功率過(guò)低

1. DLD效應(yīng): 激勵(lì)功率不足時(shí)，晶振的振蕩能力下降

，容易出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)功率相關(guān)性(DLD)效應(yīng)。晶振的頻率可能隨著激勵(lì)功率的波動(dòng)而變化。更多內(nèi)容：《無(wú)源晶振測(cè)試參數(shù)：DLD1 ~ DLD7》《什么因素影響DLD值

？》

2. 晶振無(wú)法起振: 若激勵(lì)功率過(guò)低

，電路的振蕩裕量不足，可能導(dǎo)致晶振無(wú)法啟動(dòng)振蕩，使設(shè)備無(wú)法正常運(yùn)行。更多內(nèi)容：《無(wú)源晶振不起振的原因和建議》

如何減少驅(qū)動(dòng)功率

1. 增加阻尼電阻: 在電路中增加適當(dāng)?shù)淖枘犭娮瑁梢詼p小反相放大器的輸出幅度

，從而降低驅(qū)動(dòng)功率。但需確保振蕩裕量大于晶振等效電阻的5倍，以保證振蕩器穩(wěn)定運(yùn)行。

2. 減少外部負(fù)載電容: 減小外部負(fù)載電容可以增加振蕩電路的阻抗

，從而降低實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率。然而，需注意負(fù)載電容的調(diào)整可能影響振蕩頻率，必須確保頻率仍在允許范圍內(nèi)。