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晶振頻率穩(wěn)定性:抗電磁
、射頻及電源噪聲干擾

發(fā)布時(shí)間:2024-10-12 閱讀次數(shù):738

在實(shí)際應(yīng)用中

,晶振會受到電磁干擾、射頻干擾以及電源噪聲等外部因素的影響
。為了確保其頻率的穩(wěn)定性
,晶振必須具備良好的抗干擾能力。晶振抗干擾的措施包括使用KOAN低抖動晶振
、擴(kuò)頻晶振
、濾波器等


晶振受到的干擾

1. 電磁干擾: 電路對外部電磁場或者其它設(shè)備產(chǎn)生的輻射或者噪聲比較敏感
。晶振在運(yùn)行中會受到電磁干擾,導(dǎo)致晶振工作異?div id="m50uktp" class="box-center"> ;蛐盘柺д?div id="d48novz" class="flower left">
。防止電磁干擾的方法包括金屬屏蔽、濾波電路
、合理的PCB布局
、增加去偶電容等。

2. 射頻干擾:射頻干擾主要由無線通信設(shè)備

、雷達(dá)、Wi-Fi路由器
、手機(jī)等產(chǎn)生的射頻信號造成
。通過輻射或耦合進(jìn)入晶振電路,影響其正常的振蕩和頻率輸出
。防止射頻干擾的方法包括使用濾波器、屏蔽電纜
、金屬屏蔽等

3. 電源噪聲:電源噪聲是由電源的不穩(wěn)定性或其他設(shè)備的干擾產(chǎn)生的。通過電源線路傳導(dǎo)到晶振電路中
,影響晶振穩(wěn)定的頻率輸出。防止電源噪聲的方法包括使用去耦電容
、穩(wěn)壓電源
、磁珠濾波等。


晶振抗干擾的措施

1. 選擇合適的晶振型號:低相位噪聲

、低電磁干擾(EMI)和低射頻干擾(RFI)晶振是提升抗干擾能力的關(guān)鍵。

        - 低抖動晶振:例如 KJ 系列

,能夠減少頻率抖動
,提高信號質(zhì)量

        - 抗電磁干擾晶振:如 KM 系列

,特別適用于高 EMI 環(huán)境。

2. 使用濾波器和屏蔽措施:在關(guān)鍵信號線上增加濾波器(如 MCF 濾波器)

,有效抑制高頻噪聲的傳入
。此外,采用金屬屏蔽外殼,防止電磁輻射進(jìn)入晶振電路
,提高抗干擾性能

3.  優(yōu)化電路設(shè)計(jì):合理的 PCB 布局能夠有效降低干擾耦合

,減少外部信號對晶振的影響。盡量減少長引線和高頻噪聲路徑
,避免信號反射和干擾

4. 去耦與穩(wěn)壓:在電源輸入端加入去耦電容,以減少電源波動和噪聲干擾

。同時(shí)使用穩(wěn)壓電路
,確保晶振獲得穩(wěn)定的電源供給,避免電壓波動影響其頻率穩(wěn)定性

5. 應(yīng)用軟件抗干擾技術(shù):通過數(shù)字濾波算法進(jìn)一步降低噪聲干擾的影響

。對采集到的信號進(jìn)行數(shù)字處理,軟件濾波器可以消除外部干擾
,提高信號的純凈度和穩(wěn)定性。

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