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晶振單端輸出波形:TTL, CMOS, HCMOS, LVCMOS

發(fā)布時(shí)間:2024-09-06 閱讀次數(shù):1293

有源晶振的常見(jiàn)輸出波形有分為單端和差分

。單端有CMOS/TTL輸出
,輸出功率大,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)
,主要應(yīng)用在數(shù)字通信系統(tǒng)時(shí)鐘上,用來(lái)驅(qū)動(dòng)計(jì)數(shù)電路

晶振的單端輸出波形TTL、CMOS

、HCMOS
、LVCMOS的介紹,特點(diǎn)和應(yīng)用如下:

1.     TTL (Transistor-Transistor Logic) : 

電源電壓通常為5V

。邏輯電平在”0“的時(shí)候,通常在0V至0.8V之間
;在”1“的時(shí)候
,通常在2V至5V之間。

                    功耗: 功耗高

,即使在靜態(tài)狀態(tài)下也會(huì)消耗電流。

                    速度: 開(kāi)關(guān)速度通常比CMOS高

                    應(yīng)用: TTL曾是數(shù)字電路設(shè)計(jì)的主流技術(shù)

,現(xiàn)已逐漸被CMOS取代

                     

2.     CMOS: 

        標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯電平通常為3.3V或5V

。邏輯電平在”0“的時(shí)候
, 通常接近 0V;在”1“的時(shí)候
,通常接近電源電壓Vcc

                    功耗: CMOS的功耗非常低,在切換狀態(tài)時(shí)才會(huì)消耗電流

                    應(yīng)用: 廣泛用于集成電路設(shè)計(jì)

,包括微處理器
、存儲(chǔ)器、以及各種數(shù)字電路

 

3.     高速HCMOS (High-Speed CMOS)

        通常工作在3.3V或5V電源電壓下

。邏輯電平與CMOS 類似,但邏輯電平通常為更高的電壓,如5V

                    功耗: 功耗較低,但相比LVCMOS 略高

                    速度: HCMOS的開(kāi)關(guān)速度比標(biāo)準(zhǔn)CMOS快,適用于需要更高速度的數(shù)字電路

                    應(yīng)用: 用于高速信號(hào)處理和需要高驅(qū)動(dòng)能力的應(yīng)用

 

4.     LVCMOS (Low-Voltage CMOS)

        低壓LVCMOS通常工作在1.8V/2.5V/3.3V 電源電壓下

                    功耗: 具有極低的功耗

,適合低功耗應(yīng)用。

                    速度: 開(kāi)關(guān)速度通常較快

,適合現(xiàn)代高速
、低功耗的數(shù)字電路。

                    應(yīng)用: 常用于電池供電設(shè)備和低功耗設(shè)計(jì)中

,如手機(jī)
、便攜設(shè)備和現(xiàn)代微處理器

 

問(wèn):CMOS和差分波形能否互換?
答:非差分波CMOS和差分波形通常不能直接互換或替代

,具體有以下幾點(diǎn)不同

            1.      信號(hào)類型

                    CMOS: 單端信號(hào)

                    差分: 通過(guò)檢測(cè)兩根導(dǎo)線之間的電壓差確定邏輯狀態(tài),抗噪聲能力強(qiáng)

            2.     噪聲干擾

                    CMOS: 易受電磁干擾

,尤其在高速傳輸時(shí)。

                    差分: 對(duì)電磁干擾有更強(qiáng)的抵抗力

,適用于高速和長(zhǎng)距離傳輸

            3.     信號(hào)速度和傳輸距離

                    CMOS: 適用于短距離和中速應(yīng)用.

                    差分: 常用于高速

、長(zhǎng)距離傳輸
,特別是對(duì)信號(hào)完整性要求高的場(chǎng)合。

 

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