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什么參數(shù)會(huì)影響晶振的近端和遠(yuǎn)端噪聲

？

發(fā)表于 2025-01-10 13:09

樓主 | 電梯直達(dá)

1. 起振時(shí)間(T)：起振時(shí)間的長短主要由晶體的諧振電阻和振蕩器的負(fù)性阻抗共同決定

。高Q值的晶體諧振電阻較小，因此起振速度更快

。

其中：諧振電阻R

，負(fù)電阻Rˉ

、動(dòng)態(tài)電感L

、動(dòng)態(tài)電容C1

、頻率ω、k為常數(shù)(12~30)

。

2. 負(fù)性阻抗(Rˉ)：KOAN振蕩器的負(fù)性阻抗通常設(shè)計(jì)為晶體諧振電阻的3至20倍

，這樣可以有效加快起振過程并提高振蕩的穩(wěn)定性

。負(fù)性阻抗的倍數(shù)越高

，起振速度越快

。

其中：gm為跨導(dǎo)

，與振蕩IC的設(shè)計(jì)相關(guān)

。

在負(fù)載電容CL較小的情況下

，增加gm的值可以提高負(fù)性阻抗

，從而加快起振。

3. 負(fù)載電容(CL)：負(fù)載電容的大小不僅影響振蕩器的負(fù)性阻抗

，還會(huì)對近端和遠(yuǎn)端相噪帶來不同的影響：

小的CL：較小的負(fù)載電容使負(fù)性阻抗變大，起振速度更快
，牽引量更大，但同時(shí)也更容易受到雜散電容的影響
。這對近端相噪有利
，但可能增加遠(yuǎn)端相噪。
大的CL：較大的負(fù)載電容會(huì)減小負(fù)性阻抗
，導(dǎo)致起振速度較慢
，但雜散電容的影響較小，有助于提升遠(yuǎn)端相噪的穩(wěn)定性
，可能對近端相噪不利。

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