什么參數(shù)會影響晶振的近端和遠端噪聲?
其中:諧振電阻R
2. 負性阻抗(Rˉ):KOAN振蕩器的負性阻抗通常設(shè)計為晶體諧振電阻的3至20倍
,這樣可以有效加快起振過程并提高振蕩的穩(wěn)定性。負性阻抗的倍數(shù)越高,起振速度越快。其中:gm為跨導,與振蕩IC的設(shè)計相關(guān)
在負載電容CL較小的情況下
,增加gm的值可以提高負性阻抗,從而加快起振。3. 負載電容(CL):負載電容的大小不僅影響振蕩器的負性阻抗
,還會對近端和遠端相噪帶來不同的影響:小的CL:較小的負載電容使負性阻抗變大,起振速度更快
,牽引量更大,但同時也更容易受到雜散電容的影響。這對近端相噪有利,但可能增加遠端相噪。大的CL:較大的負載電容會減小負性阻抗,導致起振速度較慢
,但雜散電容的影響較小,有助于提升遠端相噪的穩(wěn)定性,可能對近端相噪不利。