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晶振激勵功率過高或者過低

,會怎么樣

發(fā)表于 2025-01-10 13:14
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激勵功率過高

1. 頻率變化: 激勵功率過高會導(dǎo)致振幅增大,從而引發(fā)幅頻效應(yīng)

。這種效應(yīng)會改變晶振的機械應(yīng)力與彈性常數(shù)
,從而導(dǎo)致振蕩頻率有明顯變化
,影響設(shè)備的正常工作。

2. 熱應(yīng)力增加: 過高的功率會在晶片兩電極之間形成不均勻的溫度場

,導(dǎo)致熱應(yīng)力增大
,進而影響頻率穩(wěn)定性,嚴重時可能導(dǎo)致晶片損壞

3. 晶振老化: 長期在高激勵功率下運行會加速晶振老化

,縮短使用壽命,增加維修或更換的成本
。更多內(nèi)容:《晶振的老化率


激勵功率過低

1. DLD效應(yīng): 激勵功率不足時

,晶振的振蕩能力下降,容易出現(xiàn)驅(qū)動功率相關(guān)性(DLD)效應(yīng)
。晶振的頻率可能隨著激勵功率的波動而變化
。更多內(nèi)容:《無源晶振測試參數(shù):DLD1 ~ DLD7》《什么因素影響DLD值?

2. 晶振無法起振: 若激勵功率過低

,電路的振蕩裕量不足
,可能導(dǎo)致晶振無法啟動振蕩,使設(shè)備無法正常運行
。更多內(nèi)容:《無源晶振不起振的原因和建議


如何減少驅(qū)動功率

1. 增加阻尼電阻: 在電路中增加適當?shù)淖枘犭娮?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">,可以減小反相放大器的輸出幅度,從而降低驅(qū)動功率

。但需確保振蕩裕量大于晶振等效電阻的5倍
,以保證振蕩器穩(wěn)定運行。

2. 減少外部負載電容: 減小外部負載電容可以增加振蕩電路的阻抗

,從而降低實際驅(qū)動功率
。然而,需注意負載電容的調(diào)整可能影響振蕩頻率
,必須確保頻率仍在允許范圍內(nèi)

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